从AMD K8L架构说起 揭开DDR3神秘面纱

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从AMD K8L架构说起 揭开DDR3神秘面纱

日期:2006-06-22   荐:
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Elixir DDR3内存模组亮相Computex 2006

    首先从表面规格来看,DDR3仍将沿用FBGA封装方式,故在生产面上将与DDR2无异。但是由设计的角度上来看,因DDR3的起跳工作频率在1066MHz,这在电路布局上将是一大挑战,因此也将反映到PCB上增加模块的成本。

    目前JEDEC所公布之DDR与DDR2 PCB公板皆采用六层板之设计 (non ECC U-DIMM),但因DDR2采FBGA封装,故PCB钻孔数(Via)会增加,此外、BGA之球距(pitch)要有良好的控制以及PCB电测之难度将提高,以上等等因素都会反映在模块的成本结构上,以目前DDR2 PCB之报价相较DDR PCB之报价多约30%~40%,未来PCB成本增加也发生在DDR3世代上。

    不过,只要能够很好的控制PCB成本,DDR3和DDR2的价格差距便会逐渐缩小,这时就有一个问题出现了。内存有没有可能像显卡显存那样很快的转换到DDR3呢?我们来看一下。

    问:显卡上都是3.3ns、2.8ns的颗粒,那为什么内存颗粒5ns基本上已经是极限了呢?显卡已经放弃了发热量大,功耗高的DDR2颗粒,而改用发热量小,功耗更低的DDR3,但为什么内存却要向着DDR2发展呢?

当前流行的136pin封装GDDR3显存颗粒

    答:内存(显存)颗粒的频率主要由两方面决定:一是工艺制程,频率越高要求工艺越严格,相应的成本也会提高;二是布线的结构,布线越长,电磁干扰也就越大,越不利于频率的提高。综合成本和结构两方面的考虑,显存颗粒的速度要明显快于内存颗粒。显卡使用的高速显存GDDR是一种专门针对显卡的DDR内存,它是“Graphics Double Data Rate DRAM”的缩写。     GDDR2是基于DDR2构建的显存,但是由于工作电压高(2.5V)、功耗较大而被很快淘汰,其的继任者GDDR3同样也是基于DDR2构建,所不同的是工作电压降为1.8V,功耗更小。 ● DDR3内存有何具体特点     早在2002年6月28日,JEDEC就宣布开始开发DDR3内存标准,但从目前的情况来看,DDR2才刚开始普及,DDR3标准更是连影也没见到。不过目前已经有众多厂商拿出了自己的DDR3解决方案,纷纷宣布成功开发出了DDR3内存芯片,从中我们仿佛能感觉到DDR3临近的脚步。而从已经有芯片可以生产出来这一点来看,DDR3的标准设计工作也已经接近尾声。

iSuppli预测内存发展走势

    半导体市场调查机构iSuppli预测DDR3内存将会在2008年替代DDR2成为市场上的主流产品,iSuppli认为在那个时候DDR3的市场份额将达到55%。不过,就具体的设计来看,DDR3与DDR2的基础架构并没有本质的不同。从某种角度讲,DDR3是为了解决DDR2发展所面临的限制而催生的产物。
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DDR2 800等效于PC2-6400

    由于DDR2的数据传输频率发展到800MHz时,其内核工作频率已经达到200MHz,因此再向上提升较为困难,这就需要采用新的技术来保证速度的可持续发展性。另一方面,也是由于速度提高的缘故,内存的地址/命令与控制总线需要有全新的拓朴结构,而且业界也要求内存要具有更低的能耗,所以,DDR3要满足的需求就是:     1、更高的外部数据传输率     2、更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构     3、在保证性能的同时将能耗进一步降低     4、为了满足上述要求,DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计:     8bit预取设计,DDR2为4bit预取,这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率只有100MHz,采用点对点的拓朴架构,减轻地址/命令与控制总线的负担。     采用100nm以下的生产工艺,将工作电压从1.8V降至1.5V,增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能。     下面我们通过DDR3与DDR2的对比,来更好的了解这一未来的DDR SDRAM家族的最新成员。

(出处:http://www.sheup.com)


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