[内存]最全面的超频内存颗粒搜罗——更新您的超频内存到贴里

·内存颗粒镶金 NCP极品DDR2-667内存已到货·揭秘，寻找DDR2极品内存颗粒·为何显存颗粒的速度大于内存颗粒？·如何识别打磨过的内存颗粒·5大内存颗粒全接触·DIY宝典 从内存颗粒谈DDR2内存选购·高端内存使用的内存颗粒列表·主流DDR2内存颗粒资料　　[内存]最全面的超频内存颗粒搜罗——更新您的超频内存到贴里 为求方便选购 DDR内存，特此整理一编选购文章！ QUOTE: 本文翻译自国外著名的论坛Overclockers Forum，文章的主要目的是让读者清楚地了解目前每个厂商的主流DDR芯片的超频能力和工作时序，帮助不同层次的用户们找到适合他们的内存产品。由于原作者列出的很多内存产品或者是颗粒在国内很难购买到，笔者在翻译过程中加入了一些平常在国内可以看到的产品，以及笔者在使用这些产品时候的经验，希望能够以此文给大家最大的帮助。 一. Winbond（华邦）系列 　　Winbond（华邦）是台湾著名的内存芯片生产商，该公司生产的DDR内存颗粒在玩家心目中的地位是其他任何厂商没办法取代的，该公司的BH-5内存芯片已经成为高档内存的代名词。下面给大家带来华邦公司的几款享有盛名的内存颗粒。 1．BH-5 　　BH-5是华邦公司最出名的内存颗粒，也可以称得上到目前位置最出名的内存颗粒！这些颗粒以其超强的内存参数而著称，并且对于电压相当地敏感；大多数的BH-5颗粒可以工作在2-2-2-X的参数下，当然在3.2-3.4V高压下，部分采用BH-5颗粒的极品内存甚至工作在280MHZ的频率，并且仍然维持2-2-2-x这样的时序。当然这样体质的BH-5颗粒还比较少见，对于内存的整体要求也相当高。如果你的主板不支持2.8V以上的内存电压调节，采用BH-5颗粒的内存或许不太适合你，但是对于那些狂热的超频玩家来说，OCZ的DDR booster可以帮助他们榨干BH-5的所有能量，最高3.9V的电压可以轻松让你的BH5达到DDR500,2-2-2-X以上，当然笔者不推荐正常使用中采用这么高的电压（毕竟大多数采用BH5颗粒的内存默认电压为2.5-2.6V之间）。2003年是BH-5颗粒产量最多的一年，但目前华邦已经宣布停产BH-5颗粒，因此现在的市面上新售内存中采用BH-5的比例非常少，多数出现在售价超贵的高端内存中，如 Mushkin Black Level ram, Kingston Hyper X, Corsair XMS, TwinMos, Buffalo 以及极少数低端内存产品中；当然另外一种寻找BH-5内存的方法就是在销售商的库存产品中，或二手市场，网友之间的交易来获得。 2.CH-5 　　CH-5颗粒是华邦公司继BH-5以后推出的另外一款试用于DDR400内存产品的内存芯片，可以称之为BH-5的缩水版，为什么这样说呢？因为CH-5超频后工作参数一般只能达到2-3-2-X,频率在220-230MHZ左右，和BH-5相差甚远；并且对于电压的敏感程度比不上BH-5，高于3V的电压通常也起不到太明显的效果，这种现象虽然主要还是内存颗粒的本身体质来决定的，但是和内存厂商的PCB板设计，用料还是脱不了干系的。不同批次的CH-5颗粒的差别也很大，一些少数CH-5颗粒同样可以达到BH-5所能够达到的成绩，当然几率非常小。目前华邦仍然在继续生产CH-5颗粒，在 BH-5停产后，缩水版的CH-5也逐渐被很多高端内存所选购，成为新一代的“极品”，不少采用CH-5颗粒的内存在适当的加压后可以工作在200MHZ 2-2-2-X的模式下，目前Corsair XMS, Kingston Hyper X以及其他几个高端品牌的内存产品的一些型号均采用了CH-5颗粒。 3．BH-6 　　BH-6作为BH-X系列的6ns版本，同样具有非常不错的性能，某些批次的BH-6的超频性能甚至能够比得上同门大哥BH-5，大多数BH- 6同样可以工作在2-2-2-2X的参数下，并且在3.2-3.4V电压下可以稳定工作在240-250MHz。不过由于华邦在推出BH-6颗粒不久后由于产能不足停止了该型号颗粒的生产，因此相比BH-5颗粒来说BH-6颗粒数量更为稀少。Mushkin Special 2-2-2, Corsair XMS, Kingston Hyper X, Kingston Value Ram PC2700等型号的内存产品上采用了BH-6颗粒。 4.CH-6 　　CH-6是华邦CH-X系列的6ns版本，虽然大家对这款华邦低端DDR颗粒不是很看好，但是它仍然继承了华邦系列一贯的优秀品质。CH-6在大多数情况下和CH-5很相似，不过不太容易稳定在2-2-2-X的时序，和CH-5一样同样对于电压不是很敏感，最高的工作频率应该是220MHz，2 -3-2-X的时序。CH-6面对的是性价比比较高的市场，在一些较低端的内存产品上比较常见，如Kingston Value Ram,，Corsair Value Ram以及Mushkin Basic系列。 5. UTT
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　　UTT是华邦最新推出的DDR内存颗粒，可以说和BH-5颗粒非常相似，无论是能够达到的极限频率以及工作时序，和BH5不同的是UTT颗粒需要稍高的电压才能做到这些，因此大多数超频玩家选择让UTT在3.4-3.6V的电压下工作。UTT在一点上做的要比BH-5颗粒出色，那就是UTT颗粒无论是双面还是单面分布超频性能几乎相同，但BH-5更偏爱单面分布的方式，因此BH-5系列内存的最好超频搭配为2x256MB,但UTT无论是 2x256mb或者是2x512MB的搭配都同样出色，这一优势在1GB内存成为主流容量的今天显得特别重要，512MB的容量在对付主流的3D游戏和软件应用已经捉襟见肘。 　　UTT颗粒在辨认上显得有点困难，你可以通过印刷在颗粒表面的商标很容易地辨认出上面介绍的华邦其他四款内存芯片，但是UTT的颗粒印刷种类比较多，在寻找的时候会带来不小的难度。UTT常见的颗粒表面印着M.Tec或者Twinmos的商标，并且拥有华邦系列内存的特征（颗粒正面左右对称分布 2个凹进去的小圆圈，内存的侧面可以看到两个短距离的金属横片），告诉大家一个小秘诀，一般具备华邦内存颗粒特征但是没有印刷BH-5/CH-5的 DDR400颗粒通常就是UTT颗粒了。一但拥有了采用UTT颗粒的内存，你会发现拥有1GB容量并且可以工作在275MHz 2-2-2-X时序的内存是多么值得兴奋的事。目前你可以在OCZ Gold VX系列 OCZ Value VX系列, TwinMos Speed Premium 系列以及其他多种品牌的低价内存上看到它的身影。1GB容量的售价在150美元左右，非常超值。 华邦系列内存颗粒的特征－颗粒正面左右对称分布2个凹进去的小圆圈，内存的侧面可以看到两个短距离的金属横片 二．Hynix（现代）系列颗粒 　　目前现代主流的内存颗粒有两种，默认频率在200MHz的D-43颗粒以及250MHz的D-5颗粒。 1.D43 　　D43是目前现代最常见的DDR内存颗粒，这款内存颗粒的特征是可以工作在很高的频率下，不过是以牺牲内存时序为代价的；通过手动超频，D43 颗粒普遍可以工作在260-270MHz，3-4-4-8的时序。D43通常也被戏称为“Intel内存”，因为Intel系列芯片组对于内存的工作频率依赖性比较大，而对于内存时序的依赖则小于AMD平台，D43颗粒对于使用Athlon XP平台的玩家来说并不是理想选择。和华邦颗粒相反，D43对于电压的要求不是很高，一般在多数主板所支持的2.8V电压下就可以达到理想的频率，因此深受那些不精通改造主板或者另外添置DDR Booster的用户们来选购。目前D43颗粒分为三种，通过颗粒编号的最后5位即可辨别，早期的编号尾部为BT-D43，后期的又出现了CT-D43以及DT-D43，最后推出的DT-D43颗粒相比它的两位师兄可以工作在更高的频率下。由于D43的优秀的超频性能，使得原本为DDR400内存设计的它出现在很多厂商的PC4000（DDR500）内存中，如Kingston Hyper X, Corsair XMS, Patriot等。 2．D5 　　D5作为现代DDR系列内存颗粒的高端型号，和同门师弟D43的体质很相似，不过D5颗粒工作在更高的频率和时序下。D5默认工作频率就是 250MHz，是为DDR500内存设计的，因此极限频率比D43更高，默认即可达到250MHz 2.5-4-7,D43工作在250MHz时的时序为3-4-4-8；此外D5颗粒可以普遍达到270-280MHz,少数可以超越300MHz，比 D43更优秀。D43被称之为“Intel内存”，而D5颗粒则为更高端的Athlon64，Intel平台的超频玩家们提供了一个不错的选择，此外还可以很好地搭配Athlon XP平台，2-3-3-X时序下频率可以达到210-220MHz（当然了由于Athlon XP外频极限较低，因此工作时序更好的华邦系列内存是其最佳选择）。因此D5可以说是一款适用平台相当广的内存颗粒，和D43一样，D5系列目前具备3个版本，编号分别为BT-D50, CT-D50，DT-D50，据称最新的DT-D50版本被正实可以稳定工作在2-2-2-X 200MHz,和三星的高端颗粒TCCD类似，此外DT-D50工作在300MHz频率以上的几率也更大。目前OCZ PC4000 rev. 2, Corsair XMS以及其他品牌的多款型号采用了D5颗粒，我们给它的评价是：“性价比最好的内存产品”。
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三.镁光系列颗粒 　　镁光系列DDR内存颗粒以出色的超频性能以及兼容性好而著称，好多超频玩家称之为“中庸内存”，在中端领域镁光的颗粒无人能敌。目前常见的DDR颗粒包括-5B C/-5B G系列。 1． -5B C 　　说实话镁光的5B系列颗粒本来应该十分热卖才对，这款-5B C颗粒不仅能够达到很高的频率并且同时拥有很棒的时序，通常可以稳定工作在230MHz，2.5-2-2-X，虽然CAS延迟不能达到2.0或者更低，但是TRD和TRP却很低，均可稳定在时序2，当然工作频率还可以上的更高。-5B C对于电压同样很敏感，在3.0V电压下基本上可以达到最高频率250MHz以上。镁光的颗粒的效能非常好，CAS2.5可以和BH-5系列CAS2相聘美，此外该款内存的异步性能非常好，对于高端的Athlon64，Intel平台处理器FSB的提升尤其有帮助。目前多家厂商推出的PC3200内存均采用了镁光的这款芯片，其中最引人注目的就是日本的Buffalo品牌，此外还包括CrUCial, OCZ 和其他品牌。 2. -5B G 【图片欠奉】 　　-5B G颗粒是镁光针对前者-5B C的改进版，虽然同样为5ns芯片，但是所能达到的最高频率要高于前者，著名的Crucial Ballistix系列内存就采用了这款型号的内存颗粒，不仅工作频率高，内存时序也相当出色。-5B G颗粒可以在保持较高频率的同时拥有出色的时序，大多数-5B G可以工作在250-260MHz，2.5-2-2-X的时序，比大多数现代的D43/D5颗粒都要出色，目前1GB容量Crucial Ballistix的售价在250美元左右，此外你还可以在镁光原厂DDR400上发现这款颗粒的身影。 四．Infineon（英飞凌）系列颗粒 　　Infineon（英飞凌）科技作为内存界的元老，其在SD时代的超频性能无人能敌，并且具备完美的兼容性能。目前英飞凌常见的几款DDR内存颗粒在超频上都有不错的表现。 1 .B5 【图片欠奉】 　　这是英飞凌的5ns内存颗粒，不过并不多见，因为仅有Corsair XMS3200 rev. 3.1这款内存使用了B5颗粒，默认设置为200MHz，2-3-3-6时序，相当不错，总体特征和华邦的CH-6颗粒很类似。B5颗粒对电压同样敏感，不过没有华邦的颗粒那么明显，即使加压后超频幅度也很一般，在2.9-3.0V的电压下只能工作在220-230MHz，尝试超过这个电压更是在浪费时间。 2. BT-6 　　这款是英飞凌的6ns颗粒，主要使用在PC2700内存产品上，和B5很类似，仅是在超频幅度上略逊于后者。Kingston的KVR2700 就是采用了BT-6颗粒，可以稳定工作在215MHz,2.5-3-3-11的时序；目前6ns的BT-6算是比较落伍了，不过可以轻松达到 200MHz，CAS2.5的水准，如果想要达到更高的频率和参数，就要在电压上下功夫了。综合来说，BT-6的好处就是以PC2700的价格带给你 PC3200的体验。 3. BT-5 　　目前最常见的英飞凌DDR400芯片就是BT-5，默认工作频率为200MHz,3.0-3-3-8,DDR400通常优化时序为2.5-3- 2-X,显得一般，不过BT-5擅长的是频率制胜，并且对于电压敏感程度很高，在2.8V以上电压，BT-5颗粒大多可以工作在240MHz以上，少数可以达到275MHz，3-4-4-X的工作状态。目前在很多品牌包括英飞凌原厂的PC3200内存都采用了这款BT-5颗粒，是一款性价比不错的产品。 4. CE-5/BE-5 　　在BT-5 200MHz下的时序遭人诟病以后，英飞凌的另外一款5ns DDR颗粒进入了市场，CE-5颗粒可以稳定工作在200MHz 2-3-2-X时序，此外部分产品还可以上到260MHz以上的频率，不过目前采用CE-5颗粒的内存品质参差不齐，一部分产品甚至不能稳定在 225MHz以上。此外最新推出的BE-5颗粒，可以单面实现512MB容量，在参数和极限速度上相比CE-5又有进步。 五．三星（Samsung）系列颗粒 　　三星是目前世界上最大的半导体公司，也是排名前三名的内存厂商，其生产的内存颗粒为各内存厂商广泛采用，编号为TC系列的DDR内存颗粒更是得到了超频玩家们的热爱，当然其中最著名的就是TCCD颗粒。 1. TCB3 　　TCB3是三星推出的6ns DDR颗粒，可以稳定地工作在PC2700, 2-2-2-X的时序，参数非常优秀，此外它同样可以工作在PC3200,但是不能继续维持这么高的时序，200MHz时的时序为2-3-3-6，不过也已经很不错了。TCB3的频率极限在230MHz左右，对于对于默认为166MHz的内存来说超频幅度很大，TCB3对于电压并不太敏感，3.0V电压下频率提升也不是很大；实际上，OCZ的几款PC3700内存就是采用了TCB3颗粒，显得有些不可思议。TCB3搭配那些FSB不超过180MHz的处理器效果很不错，许多著名品牌的高端PC2700内存都采用了这款颗粒，包括Corsair XMS2700, XMS3200, Kingston Hyper X PC2700, Mushkin PC3200以及TwinMos，OCZ的部分型号。
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2． TCCC 　　TCCC是三星TCC系列（PC3200）里面编号为“C”的颗粒，表示其PC3200时预设CAS值为3，这款内存颗粒在很多厂商的 PC3200内存产品中都可以看到。TCCC人称“多面手”，是因为它可以工作在250-260MHz,3-4-4-8的时序，而默认200MHz时可以保持2.5-3-3-6的时序，由于TCCC颗粒的售价比较便宜，因此和现代的D43一起成为性价比出色的代表。此外不少PC4000（DDR500）内存同样采用了TCCC颗粒，如KingSton Hyper X PC4000 module I，不过由于已经接近极限频率，留给这款内存的超频空间已经很小了。当然电压对于TCCC颗粒的超频有一定的影响，不过在2.8V时已经基本上可以达到最高频率。Corsair XMS3700, Samsung PC3200以及其他品牌的PC3200产品上都可以看到TCCC的身影。 3. TCC4 　　TCC4是三星的另外一款5ns的DDR400内存颗粒，不过并不常见，在一些品牌的PC3200低端内存甚至是PC2700内存上面可以看到它。TCC4并不太适合超频用户，因为在加压情况下最高也只能稳定在210-220MHz,3-3-3-X的时序模式下，对电压很不敏感，只适合追求容量和性价比的用户。 4. TCC5 　　TCC5是三星TCC系列的一款新产品，在各方面比它的前辈TCC4都要优秀的多，一般多用在PC3700内存产品上，超频性能很不错。这款内存的默认工作频率为233MHz，初始频率比TCC4的极限都要高，默认工作时序可以达到2.5-3-3-X，在超频模式下，可以工作在250MHz，3 -4-4-X的时序下，对于电压也不太敏感。这款颗粒相比TCCC和现代的D43来说并不常见，售价相对较高，对于AMD,Intel的平台都比较适应， 200MHz下可以提供不错的时序，而超频状态下可以提供不错的频率，是一个不错的选择。 5. TCCD 　　继华邦的BH-5之后，三星的TCCD是第二款应该被大家记住并怀念的颗粒；TCCD被称之为“BH-5的代替者”，某些人赞同这一说法，当然也有人反对。TCCD可以称得上最全面的内存芯片，要高参有高参，要高频有高频，TCCD可以在2-2-2-X的时序下稳定工作在220MHz,也可以在 2.5-4-4-X的时序下以超过300MHz的频率稳定运行，是目前工作频率最高的DDR内存芯片。 　　TCCD对于电压的比较敏感，但是并不需要太高的电压就可以完全进入高效状态，在2.8V或者更低电压下即可达成，几乎适用于所有的主流主板。目前采用TCCD颗粒的内存产品在没有改造过的主板上可以轻松达到DDR600的水准，可以满足不同需求的所有用户的需要。TCCD和BH-5相比在高频时候的参数不足可以通过更高的工作频率来弥补，只是和某些主板的兼容性不是太理想（这一点和BH-5没的比啊）。目前几乎所有的内存频宽记录都是由 TCCD创造的，Kingston Hyper X, Corsair XMS, Patriot XBL, Mushkin Level 2, G.Skill, PQI Turbo 以及Adata等采用TCCD颗粒的产品已经成为超频玩家们追捧的对象，当然售价也是高高在上。 QUOTE: 具体内存颗粒与品牌的选择 　　1.内存颗粒的选择 　　对于不同厂商所生产的内存颗粒，所能达到的频率和参数是有很大区别的，DDR400或者速度更快的内存的所采用的为5NS的颗粒，常见的有 Hynix D-43,Hynix D-5,Samsung TCCC,Infineon（英飞凌） BT-5,Micron（镁光） TG-5B,WINBOND BH5，CH5，其余的还有NANYA,A-DATA（威刚）,KINGMAX，,mosel（茂夕）,金邦，twinmos(勤茂）等品牌颗粒。 　　我们按照级别可以粗略地给这些内存颗粒进行分类，见表一。 　　目前频率超过DDR500的内存产品已经列入发烧级行列，不是所有的玩家都有能力买的起这么贵的产品的。但是如上表中的资料我们可以看出，目前的主流的优秀内存芯片中都具备了良好的超频能力，即使在双通道模式下达到DDR500以上并非难事，对于不同的平台，我们有不同的优秀内存颗粒作为超频推荐，见表2。 QUOTE: i:)介绍一下查看芯片有无Vref去藕电容的方法(下面以图做解释）
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　　良好的设计：注意观察从内存芯片引出的布线，有一根要明显粗于其他信号线，它就是Vref电路，正规的设计会在此电路上设置Vref去藕电容。 　　对这些细微环节的处理，也正是目前大厂与小厂的区别所在（比如一颗贴片电容的价格现在大约在人民币3毛钱左右，那么几十个下来，成本也相当可观了）。相对而言，选择大的名牌厂商的产品会得到更多的保障，不过在今天这样的环境（DDR内存模组技术已经相当成熟），不可否认模组的整体质量都在提高。 　　ii：）判断金手指工艺的方法 　　电镀金工艺：仔细看金手指触点的下方，会引出一根很短的细线，这就是电镀时留下的引线，以目前的工艺，这个引线还无法去掉，另外仔细看金手指1号引脚上会有一颗贴片电容，这是必须要有的。 　　化学镀金工艺：金手指触点下方没有那根引线，从而可以基本断定为化学镀金。 iii：）PCB走线设计合理性判断 　　常见的三种6层PCB单面内存模组的背面布线设计 　　在上图中，后两种采用了不同方式的大面积覆铜设计，能起到降低EMI（Electro Magnetic Interference,电磁干扰）的作用。其中，2号设计是最为常见的，很多256MB模组都采用这种布线设计，而3号设计的布线要更合理一些，因为它的布线间距要更大一些，有助于保证信号的稳定。相对而言，1号属于低成本的6层PCB设计，但这并不代表其布线设计水平的好坏。不过，DDR内存模组的设计已经非常成熟，模组的性能更多的取决于所使用的内存芯片质量，PCB并不可能弥补芯片的固有不足。所以，如果选择能超频的内存模组，内存芯片的品质是首先要考虑的。一些PCB做工并不是很好的模组的超频能力并不弱，而一些做工很好的模组反而不行，这就体现出芯片超频方面的重要性。

（出处：http://www.sheup.com）

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　　化学镀金工艺：金手指触点下方没有那根引线，从而可以基本断定为化学镀金。 iii：）PCB走线设计合理性判断 　　常见的三种6层PCB单面内存模组的背面布线设计 　　在上图中，后两种采用了不同方式的大面积覆铜设计，能起到降低EMI（Electro Magnetic Interference,电磁干扰）的作用。其中，2号设计是最为常见的，很多256MB模组都采用这种布线设计，而3号设计的布线要更合理一些，因为它的布线间距要更大一些，有助于保证信号的稳定。相对而言，1号属于低成本的6层PCB设计，但这并不代表其布线设计水平的好坏。不过，DDR内存模组的设计已经非常成熟，模组的性能更多的取决于所使用的内存芯片质量，PCB并不可能弥补芯片的固有不足。所以，如果选择能超频的内存模组，内存芯片的品质是首先要考虑的。一些PCB做工并不是很好的模组的超频能力并不弱，而一些做工很好的模组反而不行，这就体现出芯片超频方面的重要性。

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　　对这些细微环节的处理，也正是目前大厂与小厂的区别所在（比如一颗贴片电容的价格现在大约在人民币3毛钱左右，那么几十个下来，成本也相当可观了）。相对而言，选择大的名牌厂商的产品会得到更多的保障，不过在今天这样的环境（DDR内存模组技术已经相当成熟），不可否认模组的整体质量都在提高。 　　ii：）判断金手指工艺的方法 　　电镀金工艺：仔细看金手指触点的下方，会引出一根很短的细线，这就是电镀时留下的引线，以目前的工艺，这个引线还无法去掉，另外仔细看金手指1号引脚上会有一颗贴片电容，这是必须要有的。 　　化学镀金工艺：金手指触点下方没有那根引线，从而可以基本断定为化学镀金。 iii：）PCB走线设计合理性判断 　　常见的三种6层PCB单面内存模组的背面布线设计 　　在上图中，后两种采用了不同方式的大面积覆铜设计，能起到降低EMI（Electro Magnetic Interference,电磁干扰）的作用。其中，2号设计是最为常见的，很多256MB模组都采用这种布线设计，而3号设计的布线要更合理一些，因为它的布线间距要更大一些，有助于保证信号的稳定。相对而言，1号属于低成本的6层PCB设计，但这并不代表其布线设计水平的好坏。不过，DDR内存模组的设计已经非常成熟，模组的性能更多的取决于所使用的内存芯片质量，PCB并不可能弥补芯片的固有不足。所以，如果选择能超频的内存模组，内存芯片的品质是首先要考虑的。一些PCB做工并不是很好的模组的超频能力并不弱，而一些做工很好的模组反而不行，这就体现出芯片超频方面的重要性。

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