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Samsung
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Micron
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Hynix(Hyundai)
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Elpida
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Mitsubishi、Toshiba、NEC
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Infineon
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Mosel
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Winbond
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NANYA、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR
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KINGMAX、kti
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M.tec、TwinMOS
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V-DATA、A-DATA、VT
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SEITEC、ATE、JetRam、BQ、Ram Bo
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VM、ARC、SEMICON、TG
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AP、Whichip、Mr.STONE、Lei、GOLD
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不错不错，精华~
不过有一事不明，以前有一条WINWORD的内存，就是那个KTI60的颗粒，KTI到底是哪个厂家啊？
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Mitsubishi、Toshiba
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ELSA-ERAZOR wrote:
不错不错，精华~
不过有一事不明，以前有一条WINWORD的内存，就是那个KTI60的颗粒，KTI到底是哪个厂家啊？
KTI是一家比较老的公司了。kti内存条比较独特，它是由生产kingmax内存条的厂家oem生产的
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OKI是日本冲电气工业株式会社生产的,OKI生产的东西应该质量过硬的说(它在国外挺有名的).
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哈哈！
太棒了，大哥你太厉害了！
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还有不少内存颗粒没贴上来，欢迎朋友们补充
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要是有介绍就好了~
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没有介绍，很可惜
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加些内容。
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加些内容
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还是hy
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还是hy .
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SEC(Samsung Electronics，三星)三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类(4=DRAM)；16代表内存芯片组成x16(1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16)；C代表电压(C=5V、V=3.3V)；254代表内存密度256Kbit(256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx)；D代表内存版本(空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代)即三星256Kbit*16=4Mb内存。三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类(4=DRAM)；16代表内存芯片组成x16(4 = x4、8 = x8、16 = x16)；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit(1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M)；2代表刷新(0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K)；3表示内存排数(2=2排、3=4排)；0代表内存接口(0=LVTTL、1=SSTL)；A代表内存版本(空白=第1代、A=第2代、B=第3代)；G代表电源供应(G=自动刷新、F=低电压自动刷新)；10代表最高频率(7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 )。三星的容量需要自己计算一下，方法是用"S"后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA dngz.net您的电脑医生
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类(4=DRAM)；16表示内存芯片组成x16(4=x4、8=x8、16=x16、32=x32)；H代表内存电压(H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V])；4代表内存密度4Mbit(4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G)；0代表刷新(0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 = 128m/16K[7.8μs])；3表示内存排数(3=4排、4=8排)；0代表接口电压(0=混合接口LVTTL SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V))；T表示封装类型(T=66针TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP))；Z代表速度133MHz(5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps))。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64m/4K (15.6μs)，内存芯片排数为4排(两面各两排)，接口电压LVTTL SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP II，速度133MHZ。
三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类(4=DRAM)；18代表内存芯片组成x18(16 = x16、18 = x18)；RD表示产品类型(RD=Direct RAMBUS DRAM)；8代表内存芯片密度8M(4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M)；C代表封装类型(C =微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP)；80代表速度(60 = 600Mbps、80 = 800Mbps)。即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。
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除了DRAM，我们还可以了解一下RDRAM的芯片编号：
三星RAMBUS DRAM内存芯片编号，以KM418RD8C为例：