超频后果一：CPU功耗增加 现在所有CPU的芯片都是由CMOS(互补型金属氧化物半导体)工艺制成。CMOS电路的动态功耗计算公式如下： P=C×V2×f C是电容负载，V是电源电压，f则是开关频率。 因为超频带来的CPU频率的增加，会造成动态功耗随频率成正比增长。而在超频的过程中，为了让CPU能够工作在更高频率上，常见的手段之一就是加电压。而这更加快了功耗增长的速度。 假设一块额定频率为1GHz、额定电压为1.5V的CPU其动态功耗为P0 。经过超频以后，工作电压加压到1.65V，稳定运行在 1.3GHz ，此时其动态功耗为P1。因为CPU制成以后，其电容值C也就基本固定，可以看作常量，也就是说超频前后的电容值C相等。 可以得到: P0 = 1.5 ×1.5×1 ×C = 2.25C (W) P1 = 1.65×1.65×1.3×C = 3.54C (W) 两式相除得到： P1/P0 = 3.54C / 2.25C = 1.573 此式的意义是，这款超频后的CPU较未超频时，其动态功耗增加了57.3% ，因为对CMOS电路来说，静态功耗相对于动态功耗较小。因此其动态功耗的增长率近似为CPU总功耗的增长率。也就是说假设原来的CPU额定功率仅为60W，经加压超频后此时也将达到近95W ! 如果不更换更好的散热设备，将不可避免的引起CPU工作温度的上升。当处理器温度超过最大允许值，轻则无法正常工作，严重则导致CPU烧毁。 超频后果二：电迁徙 在前些年在提及超频后果的时候，经常会提起电迁徙(有人称为电子迁移)造成的危害。在半导体制造业中，最早的互连金属是铝，而且现在它也是硅片制造业中最普通的互连金属。然而铝有着众所周知的由电迁徙引起的可靠性问题。 由于传输电流的电子将动量转移，会引起铝原子在导体中发生位移。在大电流密度的情况下，电子不断对铝原子进行冲击，造成铝原子逐渐移动而造成导体自身的不断损耗。在导体中，当过多的铝原子被冲击脱离原来的位置，在相应的位置就会产生坑洼和空洞。轻则造成某部分导线变细变薄而电阻增大，严重的会引起断路。而在导线的另一些部分则会产生铝原子堆积，形成一些小丘，如果堆积过多会造成导线于相邻导线之间发生连接，引起短路。不论集成电路内部断路还是短路，其后果都是灾难性的。电迁徙或许是集成电路中最广泛研究的失效机制问题之一。 超频的结果会使通过导线的电流增大，引起的功耗增加也会使芯片温度上升。而电流和温度的增加都会使芯片更容易产生电迁徙，从而对集成电路造成不可逆的损伤。因此长期过度超频可能会造成CPU的永久报废。 曾经有人这样反映：CPU超频到某个频率后，经过近一年的使用一直都很稳定。但是后来有一天就发现了CPU已经无法在这个频率上继续稳定工作。造成这种现象的原因，很可能是过度超频而散热措施不好，尽管CPU体质不错，在较高的温度下也能超到一个较高的频率。但是恶劣的工作环境和超负荷的工作让CPU内部发生严重的电迁徙。虽然没有造成短路或者断路，但是导线已经严重受到损伤，导线电阻Ｒ增大，最终引起布线延时RC(和布线电阻和布线电容有关)增加，导致时序错乱影响CPU正常工作。 一方面CPU集成的晶体管密度的不断提升，造成芯片中的导线密度不断增加，导线宽度和间距不断减小；另一方面CPU频率不断提升，功率逐渐加大而电压却在减小。CPU运作需要更细的导线去承载更大的电流，铝互连的应用日益受到挑战。因此更低电阻的铜互连将在集成电路的设计和制造中逐步取代原有的铝工艺。 很重要的一点是，铜具有良好的抗电迁徙的特性，几乎不需要考虑电迁徙问题。而目前市面上出售的CPU基本都已采用铜互连工艺。在AMD的Athlon(Thunderbird核心)和Intel的P4(NorthWood核心)发布以后的CPU都采用了铜互连技术，因此大多数人可以不必再为电迁徙而过于担心。 超频后果三：信号变差 前面说过，CPU是信号处理器，主要功能是对数字信号进行处理，其主要工作单元为由晶体管组成的门电路。下图是CMOS集成电路中的一个最基本电路——反相器，其它复杂的CMOS集成电路大多是由反相器单元组合而成。 理论上，CMOS门电路输出的数字信号(也是下一级门电路的输入信号)理想波形的上、下沿都是严格垂直的，从高电平跳变到低电平是突变的，不需要时间。 但是，实际上任何实物集成电路最终的性能都不可能完全达到理论指标。CMOS门电路输出波形也不是严格理论上的”方波”，在电压跳变的过程中，不但输出电压不是严格垂直，而且还需要耗费一定的时间。 Δt是指从高电平到低电平所需要的时间。这是因为CMOS门电路中几乎无处不在的寄生电容和寄生电阻。而电容器件最重要的一个特性就是，不允许电容器两端的电压突变，而必须有个上升或者下降的过程。只要有寄生电容的存在，Δt的存在就不可避免。通常，寄生电容的主要有以下几种：1)作为输出的晶体管的结电容；2)作为上级负载的下一级输入的晶体管的结电容；3)传输导线之间和晶体管之间的电容。 寄生电阻和寄生电容越小，高低电平的转换时间Δt在整个信号中占据的百分比越小，实际输出的波形也就越接近于理想波形，集成电路的电气性能就更优秀。它们只能通过制造工艺的提高去减小，而不可能完全消失。高k栅介质(High K gate Dielectric)、SOI工艺绝缘体上硅芯片技术(Silicon On Insulator)、“Low-k”低介电常数绝缘体技术等技术都是为了减小CPU中寄生电容采用的方法，而铜互连则有效减小了CPU中寄生电阻。然而不容乐观的是，随着集成密度的提高，线宽越来越窄，导线之间和晶体管之间的距离越来越近，晶体管栅极层厚度越来越薄，这几年CPU寄生电容和电阻的增加已经成为CPU制造技术中最难又最亟待解决的问题。 超频的CPU会使信号波形变的更差。因为CPU成品以后，其电容和电阻值都为常数，晶体管的各项参数也已经固定。在信号电压值不变的情况下， 信号高低电平的跳变所需要的时间也不变。但是频率的提高会使信号宽度 (占用的时间)变短，最终造成波形进一步恶化。 可以看见，超频以后的信号更加“非理想化”，电平电压不变的时间ΔT逐渐减小，给信号的辨认造成困难。当频率增加过高．门电路还未达到最高电平和最低电平的电压要求值就开始“跳变”。波形严重失真，并且可能造成信号达不到下一级门电路的触发电压而使整个CPU无法工作。通常，这种过度超频会造成电脑根本无法启动、黑屏等故障。 超频后果四：抗干扰能力减弱 对于大多数超频使用者来说，会有一个理智超频的过程，所以很少会超频到电脑无法启动或者黑屏，更常见的超频后果是造成系统不稳定。CPU在工作过程中死机，重新启动，或者运算出错等等都是不稳定的表现。 既然能够开机工作，说明至少信号波形还没有达到下级电路无法识别的地步，为什么不能够稳定运行呢？这就牵扯到抗干扰能力的问题。 如果CPU在超频以后能够顺利启动，如果在没有外界的干扰，那么做好散热以后，它就能稳定工作。但是CPU是工作在一个不断变化的环境中，有很多来自于外界电子噪声的影响。CPU在超频以后，更高频的信号周期时间更短，超频之前影响不大的干扰信号，在CPU工作在更高频率的时候，可能会变成CPU无法正常工作的罪魁祸首。 可以看到，超频以后的有用信号(红)由于频率高，周期短，有效高电平时间短，在受到干扰以后，造成有用信号整体电压下降，干扰信号(蓝色)与原信号叠加的波形，无法达到要求电压，从而造成下级门电路无法识别信号，CPU无法继续正常工作。 而未超频的信号(绿色)，和干扰信号(蓝色)叠加以后，虽然前半段有用信号整体电压下降，但是 后半部分不受影响，仍然能够达到高电平要求电压。尽管波形变化较大，但对于数字信号处理来说，达到高电平电压已经能够触发下级门电路，对于CPU的使用不会有太大影响。 由此可见，原先并无大碍的干扰却可能导致超频的CPU在使用中罢工，所以说超频造成了CPU抗干扰能力的下降。 为了让超频的CPU能稳定工作，必须尽量减少干扰源。最常见的来源有：大气中的天电、驱动电动机等电气设备或器件及由传感检测系统接收到的输入中混同于信号中的机、电、磁、光和声及电网波动的干扰等等。因此，在信号处理中，伴随信号一定存在噪声，不可能获得没有噪声的“纯净”信号。但是，只要保证信号比噪声强度大得多，信号的处理、分析和识别就不会 受到显著的影响。使用做工和用料更好的内存、主板和电源，不仅能够更少的吸收外界杂讯，也能确保CPU输入和输出信号更规则、更纯净。以主板为例，完整的滤波电路、优质的供电稳压电路、合理的走线和布局、良好的散热措施等等，都是一块设计优秀的主板必不可少的件条件，最终都是为了能给CPU提供稳定的工作环境服务。而干扰问题， 其实对于本身更高频的CPU也是如此，频率越高的处理器对干扰信号越敏感。LGA775接口的CPU正是为了避免针脚接受外界干扰信号而采用触点设计。 超频后果五：制造干扰 工作在高频率的时候，CPU、主板等等配件上的导线和元件不仅是干扰信号的接收者，同样也是干扰信号的发射者。存在电流环路的导线就会有辐射产生。 可以看出，辐射的电场强度(Ｅ)以频率的平方增加。同样CPU经过超频以后，其辐射电场强度(电子噪声)会以频率提高速度的平方增加。