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Micron公司的DDR-Ⅱ 533内存与DDR-Ⅱ分析/检测卡，它用来分析DDR-Ⅱ内存的工作情况，并依此对内存的内部设计进行改进，值得注意的是系统平台用的是令人怀念的Micron自己的芯片组
三星公司展示的DDR-Ⅱ 533内存模组，模组标准为PC4300，相应的，如果是DDR-Ⅱ 400将是PC3200
Elpida公司的DDR-Ⅱ内存模组，银光闪闪的CSP封装显得与众不同
2、DDR-Ⅱ时代的封装技术 可以肯定的是TSOP-II将在DDR-Ⅱ时代彻底退出内存封装市场。并且将会出现改良型的CSP——WLP（Wafer Level Packaging，晶圆级封装），它是比CSP更为贴近芯片尺寸的封装方法，由于在晶圆上就做好了封装布线，因此在可靠性方面达到了更高的水平。不过，外在的模样仍与现在的CSP封装差不多，WLP更多的改进是在其内部。 另外值得一提的是为了应付更高容量的需求而采用的SiP封装技术，它是System-in-a-Package的缩写，有时又称之为Stacked Pakage，可以看作是一种集成封装技术。它将多枚内存芯片核心堆叠在一起，然后统一封装成一颗芯片，在有限的面积内通过充分利用空间达到容量倍增的目的。SiP并不是内存中专用的封装技术，原来是用于多种不同功能的芯片统一封装（如一颗嵌入式CPU+DRAM芯片）。目前的SiP技术可以在CSP的基础上最多堆叠4枚内存芯片（上图可点击放大）
3、DDR-Ⅲ简介 DDR-Ⅲ的设计始于2001年5月，目前只有一个大概的规格。按照JEDEC的计划，DDR-Ⅲ将在2007年正式出台，数据传输率至少从667MHz开始，预取数据容量大于4bit（很可能采用RDRAM那样的8bit设计），而且工作电压比1.8V更低，寄生干扰也将进一步减少。显然，它离我们更是遥远，还不到谈论它还的时候，要知道半导体技术日新月异， DDR-Ⅲ完全有可能因此而中途改变设计。在此，我们就当个小花边新闻吧。（出处：http://www.sheup.com）