各大颗粒芯片组即将进军DDR3市场
在今年台北IDF展会上,英特尔表示已经接收到各大内存厂商的DDR3内存模块,并且都已稳定地运行在英特尔的测试平台上。预测业界将于2007年初正式投产DDR3内存模块,并于年中上市。 DDR2内存技术简单回顾 在分析DDR3内存之前,我们先来重温一下从DDR到DDR2的变换以及技术革新。 业界正式内存规格是由JEDEC-- Joint Electronioc Device Engineering Council制定的,这包括了DDR、DDR2以及准备推出的DDR3,在官方规格中DDR最高速度为DDR400,但由于制程进步,DDR的速度已经完全超越了官方原定标准,故此后期出现了超高速DDR566并非官方规格。 继DDR400之后,JEDEC已认定DDR2为现时主流内存标准,虽然名字上只差毫厘,但DDR2和DDR2是完全不兼容的,首先DDR2的为240Pin接口比DDR的184Pin长,另外电压也比DDR的2.5v低许多,在1.8v的同频率下DDR2可比DDR低一半功耗,高频低功耗是DDR2内存的优点,而缺点则是DDR的延迟值比较高,在同频率下效能较低。 不单在规格上不兼容,其实DDR和DDR2在技术上有得大分别。我们用的内存是透过不停充电及放电的动作记录数据的,上代SDRAM内存的核心频率就相等于传送速度,而每一个Mhz只会有传送1 Bit的数据,采用1 Bit Prefetch。故此SDRAM 100Mhz的频宽为100Mbps。但随着系统内部组件速度提升,对内存速度的要求增加,单纯提升内存频率已经不能应付需求,幸好及时发展出DDR技术。 DDR与SDRAM的分别在于传统SDRAM只能于充电那一刻存取数据,故此每一下充电放电的动作,只能读写一次,而DDR却把技术提升至在充电及放电时都能存取数据,故此每Mhz有两次存取动作,故此DDR会比SDRAM在同一频率下效能提高一倍,而100Mhz的DDR却可达至200Mbps存取速度,由于每一个Mhz都要有二次的资料存取,故此DDR每一Mhz会传送2Bit,称为2Bit Prefetch,而DDR颗粒频率每提升1Mhz,所得的效果是SDRAM的两倍。 而DDR 2则是承继DDR并作出改良,同样能在每一次充电放电时都能存取,但DDR 2却改良了I/O Buffer部份,以往内存颗粒的频率相等于I/O Buffer的频率,但DDR2的I/O Buffer会被提升至内存核心频率的一倍,而DDR 2内存会在每一个Mhz传送4Bit的数据给I/O Buffer,比DDR每笔传送2Bit多一倍,故此在同一内存核心频率下,DDR 2的内存会比DDR速度快一倍,这技术称为4Bit Prefetch。DDR 2未来提升速度的空间会比DDR强,因为每提升1 Mhz DRAM的频率,所得到的效果却是传统SDRAM的四倍。不过我们经常提及DDR2的频率是Clock Frequency,而不是DRAM Core Frequency,故此DDR2 533的频率还是266Mhz。(出处:http://www.sheup.com)